4月7日，記者走進了陜西光電子集成電路先導技術研究院有限責任公司(簡稱“先導院”)，在參觀和聽取介紹中，實地感受先導院是如何凝心聚力打造中國強“芯”。

　　中科院西安光機所聯(lián)合高新區(qū)、科技廳于2015年10月共同發(fā)起設立陜西光電子集成電路先導技術研究院有限責任公司(簡稱“先導院”)。先導院依托半導體芯片研發(fā)中試平臺及專項光電子投資基金，致力于創(chuàng)業(yè)人才引進、創(chuàng)業(yè)投資、技術服務為一體，打造光子領域世界一流創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。

　　據(jù)介紹，先導院平臺占地83畝、建筑面積2.7萬平方米，擁有設備儀器400多臺(套)，目前平臺已聚集入駐光電子領域企業(yè)30余家。通過平臺支持，耶魯大學陳辰團隊僅用半年時間就研發(fā)出全球首款半極性氮化鎵襯底工程品；龔平博士一人回國組建的唐晶量子團隊僅用大半年時間就實現(xiàn)了砷化鎵VCSEL外延片研發(fā)，部分指標已達到行業(yè)龍頭企業(yè)英國IQE的水準....。。平臺企業(yè)的多項科技成果及產(chǎn)品突破了國外壟斷、實現(xiàn)了進口替代、填補了國內(nèi)空白，在光電子芯片細分領域處于國內(nèi)領先地位。

　　而先導院發(fā)起成立的總規(guī)模10億元的先導基金目前已投資項目93個，代表企業(yè)有源杰半導體、曦智科技、奇芯光電、鯤游光電、本原量子、唐晶量子、飛芯電子、橙科微電子、洛微科技等。其中，唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目建筑面積38747.11平方米。項目分兩期建設，一期建筑面積20064平方米，于2022年6月正式開工。該項目擬建設一條砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)化合物半導體外延片生產(chǎn)線用于化合物半導體外延片的研發(fā)及生產(chǎn)，包含生產(chǎn)車間、生產(chǎn)大樓等。

　　作為創(chuàng)新平臺，先導院解決了實驗室無法工程化創(chuàng)新成果，而成熟批量芯片代工廠又難以承接工藝還未成熟的創(chuàng)新產(chǎn)品需求的兩難局面，做到了有效的工程化銜接。先導院相關負責人表示，未來，先導院將分階段圍繞化合物半導體平臺、硅基光電子平臺、異構集成平臺陸續(xù)擴展能力建設，在光有源芯片、無源芯片、功率射頻芯片研發(fā)中試、納米級光學微加工等方面提供深度技術服務，為推進光子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，打造光子領域世界一流創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)而不懈努力。

責任編輯：梅鐿瀧