4月7日，記者走進了陜西光電子集成電路先導技術研究院有限責任公司(簡稱“先導院”)，在參觀和聽取介紹中，實地感受先導院是如何凝心聚力打造中國強“芯”。

　　中科院西安光機所聯合高新區(qū)、科技廳于2015年10月共同發(fā)起設立陜西光電子集成電路先導技術研究院有限責任公司(簡稱“先導院”)。先導院依托半導體芯片研發(fā)中試平臺及專項光電子投資基金，致力于創(chuàng)業(yè)人才引進、創(chuàng)業(yè)投資、技術服務為一體，打造光子領域世界一流創(chuàng)新生態(tài)系統。

　　據介紹，先導院平臺占地83畝、建筑面積2.7萬平方米，擁有設備儀器400多臺(套)，目前平臺已聚集入駐光電子領域企業(yè)30余家。通過平臺支持，耶魯大學陳辰團隊僅用半年時間就研發(fā)出全球首款半極性氮化鎵襯底工程品；龔平博士一人回國組建的唐晶量子團隊僅用大半年時間就實現了砷化鎵VCSEL外延片研發(fā)，部分指標已達到行業(yè)龍頭企業(yè)英國IQE的水準....。。平臺企業(yè)的多項科技成果及產品突破了國外壟斷、實現了進口替代、填補了國內空白，在光電子芯片細分領域處于國內領先地位。

　　而先導院發(fā)起成立的總規(guī)模10億元的先導基金目前已投資項目93個，代表企業(yè)有源杰半導體、曦智科技、奇芯光電、鯤游光電、本原量子、唐晶量子、飛芯電子、橙科微電子、洛微科技等。其中，唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產項目建筑面積38747.11平方米。項目分兩期建設，一期建筑面積20064平方米，于2022年6月正式開工。該項目擬建設一條砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)化合物半導體外延片生產線用于化合物半導體外延片的研發(fā)及生產，包含生產車間、生產大樓等。

　　作為創(chuàng)新平臺，先導院解決了實驗室無法工程化創(chuàng)新成果，而成熟批量芯片代工廠又難以承接工藝還未成熟的創(chuàng)新產品需求的兩難局面，做到了有效的工程化銜接。先導院相關負責人表示，未來，先導院將分階段圍繞化合物半導體平臺、硅基光電子平臺、異構集成平臺陸續(xù)擴展能力建設，在光有源芯片、無源芯片、功率射頻芯片研發(fā)中試、納米級光學微加工等方面提供深度技術服務，為推進光子產業(yè)發(fā)展，打造光子領域世界一流創(chuàng)新生態(tài)系統而不懈努力。

責任編輯：梅鐿瀧